型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 65V 4Pin H-37248 T/R65381+￥628.470610+￥606.419050+￥603.6626100+￥600.9061150+￥596.4958250+￥592.6368500+￥588.77771000+￥584.3674 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)39141+￥629.793010+￥607.695050+￥604.9328100+￥602.1705150+￥597.7509250+￥593.8838500+￥590.01661000+￥585.5970 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PC40UDPBF 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚95811+￥632.084410+￥609.906050+￥607.1337100+￥604.3614150+￥599.9257250+￥596.0445500+￥592.16331000+￥587.7276 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PF50WDPBF 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚72121+￥634.444210+￥612.183050+￥609.4004100+￥606.6177150+￥602.1655250+￥598.2698500+￥594.37401000+￥589.9218 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 65V 5Pin H-37248 T/R32781+￥650.028010+￥627.220050+￥624.3690100+￥621.5180150+￥616.9564250+￥612.9650500+￥608.97361000+￥604.4120 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 65V 5Pin H-37248 T/R52591+￥656.161210+￥633.138050+￥630.2601100+￥627.3822150+￥622.7776250+￥618.7485500+￥614.71941000+￥610.1148 -
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品类: MOS管描述: Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin Case 34288-4/2 T/R22411+￥659.911810+￥636.757050+￥633.8627100+￥630.9683150+￥626.3373250+￥622.2853500+￥618.23321000+￥613.6022 -
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品类: 肖特基二极管描述: DD 系列，Infineon **Infineon** PowerBLOCK 双二极管（**DD 系列**）整流器二极管模块具有如下配置：快速二极管和整流器二极管。 压力触点技术整流器二极管模块的范围为 20mm 直到 60mm，电压范围高达 1800V，电流最大 600A。 PowerBLOCK 整流器二极管具有电气绝缘基座，其包含隔离的铜基板。 它们可用于电源控制器、软启动器和驱动应用。 PowerBLOCK 外壳 易于安装 压力触点技术 故障保护/故障时短路 - 防止故障时出现电弧 ### 二极管和整流器，Infineon80951+￥660.846610+￥637.659050+￥634.7606100+￥631.8621150+￥627.2246250+￥623.1668500+￥619.10891000+￥614.4714 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。20011+￥672.429010+￥648.835050+￥645.8858100+￥642.9365150+￥638.2177250+￥634.0888500+￥629.95981000+￥625.2410 -
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品类: MOS管描述: Trans RF MOSFET N-CH 65V 7Pin Case 33288 Tray47501+￥697.839610+￥673.354050+￥670.2933100+￥667.2326150+￥662.3355250+￥658.0505500+￥653.76551000+￥648.8684 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。48711+￥703.482610+￥678.799050+￥675.7136100+￥672.6281150+￥667.6914250+￥663.3718500+￥659.05211000+￥654.1154 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 70A 17Pin EconoPACK 2A T/R66591+￥710.869810+￥685.927050+￥682.8092100+￥679.6913150+￥674.7027250+￥670.3378500+￥665.97281000+￥660.9842 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。22341+￥711.519610+￥686.554050+￥683.4333100+￥680.3126150+￥675.3195250+￥670.9505500+￥666.58151000+￥661.5884 -
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon FS100R07N2E4B11BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=650 V, 25引脚 ECONO2封装65591+￥721.038610+￥695.739050+￥692.5766100+￥689.4141150+￥684.3542250+￥679.9268500+￥675.49931000+￥670.4394 -
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品类: IGBT晶体管描述: 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module19801+￥729.508810+￥703.912050+￥700.7124100+￥697.5128150+￥692.3934250+￥687.9140500+￥683.43461000+￥678.3152 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 65V 4Pin H-37288L-4/2 T/R80621+￥748.284610+￥722.029050+￥718.7471100+￥715.4651150+￥710.2140250+￥705.6193500+￥701.02451000+￥695.7734 -
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品类: MOS管描述: Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin Case 34288-4/2 T/R55871+￥750.120010+￥723.800050+￥720.5100100+￥717.2200150+￥711.9560250+￥707.3500500+￥702.74401000+￥697.4800 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FF400R07KE4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 485 A, 1.55 V, 1.25 kW, 650 V, Module76721+￥791.023210+￥763.268050+￥759.7986100+￥756.3292150+￥750.7782250+￥745.9210500+￥741.06381000+￥735.5128 -
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品类: 功率二极管描述: Rectifiers 1.8kV 230A63331+￥846.279010+￥816.585050+￥812.8733100+￥809.1615150+￥803.2227250+￥798.0263500+￥792.82981000+￥786.8910 -
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品类: IGBT晶体管描述: 62毫米C系列模块，具有快速IGBT2高频开关 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching13521+￥846.609610+￥816.904050+￥813.1908100+￥809.4776150+￥803.5365250+￥798.3380500+￥793.13951000+￥787.1984 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FF450R12KT4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module3107 -
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品类: MOS管描述: H-33288-6 N-CH 65V35761+￥875.839210+￥845.108050+￥841.2666100+￥837.4252150+￥831.2790250+￥825.9010500+￥820.52301000+￥814.3768 -
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品类: MOS管描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M96891+￥879.247810+￥848.397050+￥844.5407100+￥840.6843150+￥834.5141250+￥829.1153500+￥823.71641000+￥817.5462 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FF300R17KE4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 440 A, 1.95 V, 1.8 kW, 1.7 kV, Module46191+￥894.729010+￥863.335050+￥859.4108100+￥855.4865150+￥849.2077250+￥843.7138500+￥838.21981000+￥831.9410 -
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon F475R12KS4B11BOSA1 N通道 IGBT 模块, 双半桥, 100 A, Vce=1200 V, 24引脚 ECONO2封装69871+￥907.383010+￥875.545050+￥871.5653100+￥867.5855150+￥861.2179250+￥855.6463500+￥850.07461000+￥843.7070 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 65V 3Pin H-34288-4/2 T/R17201+￥910.951210+￥878.988050+￥874.9926100+￥870.9972150+￥864.6046250+￥859.0110500+￥853.41741000+￥847.0248 -
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon FZ300R12KE3GHOSA1 N通道 IGBT 模块, 480 A, Vce=1200 V, 5引脚 62MM 模块封装85241+￥917.449210+￥885.258050+￥881.2341100+￥877.2102150+￥870.7720250+￥865.1385500+￥859.50501000+￥853.0668 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。75531+￥945.675610+￥912.494050+￥908.3463100+￥904.1986150+￥897.5623250+￥891.7555500+￥885.94871000+￥879.3124 -
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品类: IGBT晶体管描述: EconoDUAL3模块沟/场终止IGBT 4极和发射Controlled3二极管 EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled3 diode9425
